По сообщению Hynix, рабочая пропускная способность микросхем GDDR4 составляет 2,9 Гбит/c, максимальная - 11,6 Гбайт/с. Для сравнения: емкость микросхемы GDDR4, представленной в конце октября Samsung, составляла 256 Мбит, рабочая пропускная способность - 2,5 Гбит/c. Hynix начнет поставки опытных партий микросхем GDDR4 в ближайшее время, а серийное производство планируется начать в 2006 году. Ко второй половине будущего года в компании рассчитывают выпустить микросхему видеопамяти, имеющую максимальную скорость обработки 14,4 Гбайт/c.

Служба новостей IDG, Тайбэй

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями