Часть запланированных средств будет израсходована на организацию производства 4-гигабитных микросхем флэш-памяти, вместо выпускаемых в настоящее время 2-гигабитных. Остальное потребуется для перевода линий по выпуску чипов DRAM с 90 на 80-нанометровую технологию.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями