легко меняться между аморфным и кристаллическим фазовыми состояниями в электрическом поле. Первое из состояний соответствует логическому 0, второе - 1; хранимое значение определяется по уровню электрического сопротивления вещества. По сравнению с флэш-технологией PCM-память имеет ряд преимуществ - она не требует применения плавающих затворов, что делает ее более быстрой и надежной, не нуждается в обязательном стирании данных перед перезаписью и т.д. Выпуск памяти PCM на рынок возможен через три-пять лет.

Служба новостей IDG, Сан-Франциско

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями