изготовления микросхем с топологическим размером элемента 90 и 65 нм из кремниевых основ диаметром 300 мм. В соответствии с новым соглашением срок сотрудничества будет продлен до июля 2008 года, и специалисты двух компаний приступят к совместной разработке 45-нанометровой технологии изготовления.

Служба новостей IDG, Тайбэй

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями