день является 90-нанометровая, а переход на следующее поколение, 65 нм, ожидался не раньше 2005 года. Специалисты же Toshiba объявили об изготовлении 45-нанометрового высокопроизводительного полевого МОП-транзистора (MOSFET), в котором утечка тока снижена за счет утолщения подзатворного оксида. В компании также создана технология многослойной разводки, которую предполагается использовать в микросхемах с топологическим размером элемента 45 нм. Samsung в свою очередь сообщила о разработке методики изготовления транзисторов с топологическим размером 50 нм.

Служба новостей IDG, Токио

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями