Японские производители в качестве стандарта используют MCP высотой 1,4 мм. Инженеры Toshiba сумели разместить в таком модуле девять слоев (прежнее достижение компании составляло шесть слоев). Увеличение стало возможным благодаря усовершенствованию технологии изготовления микросхем, позволившему снизить толщину слоя с 85 до 70 мкм. В Toshiba изготовлены прототипы модулей, содержащие следующие слои: статическая память емкостью 8 Мбит, SDRAM емкостью 128 Мбит, три микросхемы флэш-памяти НЕ-ИЛИ по 128 Мбит каждая, одна - НЕ-И емкостью 128 Мбит, а также три слоя, реализующие интерфейсы, необходимые для соединения памяти различных типов с процессором.

Служба новостей IDG, Токио

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями