Указанная длина затвора примерно вдесятеро меньше, чем допускает наиболее передовая из ныне применяемых технологий серийного производства микросхем. NEC также удалось превзойти достижение IBM - транзистор с длиной затвора 6 нм, о разработке которого представители корпорации рассказали год назад на той же конференции. По сообщению NEC, спроектированные ею транзисторы пока еще весьма далеки от того, чтобы их можно было применять в составе серийно выпускаемых микросхем. Коммерческие продукты с 6-нанометровыми транзисторами появятся не раньше 2020 года.

Служба новостей IDG, Токио

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями