Как объяснил старший почетный сотрудник и директор по производственным технологиям Intel Марк Бор, микросхемы статической памяти используются для тестирования технологии изготовления ввиду сравнительной простоты их проектирования, в дальнейшем же 65-нанометровые транзисторы появятся в новых модификациях Pentium 4 и Xeon. Объявлено также, что поставки первых микросхем Intel, изготовленных в соответствии с нормой проектирования 90 нм, начнутся в ближайшие недели. В процессорах следующего поколения, которые будут выпускаться по технологии 65 нм, Intel, как и сейчас, будет применять "растянутый" кремний и медную разводку. Как сообщил Бор, микросхемы будут содержать восемь слоев такой разводки и некий новый диэлектрик с низкой проницаемостью, позволяющий снизить энергопотребление. Расходы, сопряженные с переходом на технологию 65 нм, предполагается сократить за счет использования большей части оборудования литографии 90-нанометрового процесса.

Служба новостей IDG, Бостон

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями