Муаровые электронные устройства создаются из наложенных друг на друга слоев материалов атомной толщины. Благодаря наложению атомных сеток образуется узор — муар — со сложной структурой, которую можно задавать, вращая слои.

Исследователи из Северо-Западного университета, Бостонского колледжа и Массачусетского технологического института использовали в качестве таких материалов двухслойный графен и гексагональный нитрид бора. До сих пор муаровые электронные устройства работали лишь при сверхнизких температурах, но теперь исследователям удалось впервые продемонстрировать работу муаровых транзисторов при комнатной температуре.

Муаровая гетероструктура использованного исследователями типа позволяет реализовать устройства, работа которых похожа на работу головного мозга — например, устройства, способные распознавать изображения.