Микросхемы PCM первоначально предполагается устанавливать в мобильных телефонах

Инженеры Samsung уже несколько лет ведут исследования, связанные с PCM. Сейчас PCM считается экспериментальным типом памяти. В ней используется стеклоподобный материал, элементы которого меняют свое состояние при изменении его кристаллической структуры. Состояния трактуются как единицы или нули, что позволяет использовать материал для хранения данных.

Большое число компаний, в том числе Intel и Infineon Technologies, независимо друг от друга, многие годы ведут разработки, посвященные PCM, пытаясь уменьшить размер и увеличить скорость и емкость хранения. Сторонники этого решения утверждают, что PCM может в конечном итоге заменить флэш-память типа NAND и NOR, используемую в мобильных устройствах.

Микросхемы PCM первоначально предполагается устанавливать в мобильных телефонах. Причем, как подчеркнул Гарри Юн, старший менеджер по техническому маркетингу компании Samsung Semiconductor, с переходом от флэш-памяти типа NOR на PCM можно на 30% снизить уровень энергопотребления и на 40% - занимаемое пространство.

Samsung уже начала производство микросхем PCM емкостью 512 Мбит. Объем производства, по словам Юна, будет увеличиваться с ростом спроса.

Преимущества, которые дает PCM, служат веским доводом в пользу разработки этого типа памяти, но, как отмечают аналитики, исследования пока не закончены, и потребуются годы на то, чтобы заменить используемые сейчас в мобильных устройствах типы памяти. В частности Джим Хенди, аналитик компании Objective Analysis, специализирующейся на исследованиях полупроводникового рынка, считает, что могут пройти годы, прежде чем такие чипы памяти начнут устанавливать в мобильных устройствах.

По его словам, изготовление PCM станет практически выполнимым только при внедрении определенного производственного процесса, а на это может потребоваться до двенадцати лет. Сейчас при производстве микросхем памяти используется технология с нормой проектирования 34 нм, а для производства PCM норму проектирования необходимо уменьшить до 10–12 нм.

Аналитики считают, что сначала PCM может заменить флэш-память в смартфонах. Грегори Вонг, аналитик компании Forward Insights, отметил, что PCM обеспечивает более быстрый доступ к данным и более высокую надежность, чем память типа NOR. Кроме того, она значительно менее энергоемка, чем существующие типы памяти.

При этом Хенди считает, что заменить на PCM флэш-память типа NAND, которая используется для хранения изображений и видео на таких устройствах, как смартфоны, будет непросто. Достаточно низкая цена памяти типа NAND может стать фактором, сдерживающим широкое распространение PCM.

Недавно компания Toshiba продемонстрировала, что может производить микросхемы флэш-памяти типа NAND, используя технологию с нормой проектирования 10 нм. Миниатюризация позволяет NAND конкурировать с PCM. Однако, по мнению Хенди, в какой-то момент будет достигнут предел, и тогда у PCM и конкурирующих технологий появится шанс.

По словам Вонга, разработчикам PCM предстоит в ближайшее время решить серьезные вопросы, касающиеся разработки и стоимости. Например, флэш-память типа NOR хранит два бита на ячейку, тогда как PCM может хранить только один бит, что приводит к повышению стоимости разработки.

"Они намерены кардинально уменьшить размер ячейки памяти, чтобы по затратам конкурировать с NOR", - заметил Вонг.

Тем не менее, как считают аналитики, объявление Samsung о начале производства – важная веха в истории PCM.

"D Ыфьыгтп хотели показать, что перешли от лабораторных исследований к этапу, который, по их мнению, можно считать массовым производством, - заметил Хенди. – Это свидетельствует о том, что они считают PCM более перспективной, чем другие технологии".

Numonyx – совместное предприятие, созданное STMicroelectronics и Intel, – также уже начало выпуск ограниченных коммерческих партий памяти PCM, получившей кодовое название Alverstone. В начале 2009 года Samsung и Numonyx объявили, что будут совместно разрабатывать спецификации на PCM.

Помимо PCM разрабатывается еще целый ряд альтернативных видов флэш-памяти, в том числе MRAM (магниторезистивная память произвольного доступа) и RRAM (резистивная память произвольного доступа).

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями