Потенциально эта технология может многократно увеличить емкость флэш-накопителей, позволит создать устройства хранения, выдерживающие высокую температуру (до 200 градусов Цельсия) и радиацию. Новая твердотельная память - лишь один из многих вариантов технологий нового поколения, способных потенциально заменить флэш-память NAND с технологическим пределом в 20 нм. Толщина графитовой памяти может составлять 10 нм. Очевидно, эта память будет многослойной. При хранении данных она не потребляет электричества. Протестированная скорость доступа к графической памяти составляет 100 наносекунд, однако исследователи считают, что этот показатель можно будет наверняка уменьшить, причем на порядок. Скорость доступа к флэш-памяти MLC составляет 50 наносекунд, а у SRAM это 10 наносекунд.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями