Конечной целью сотрудничества является ускорение разработки 40 нм DRAM-чипов с размером ячейки 4F2, которую партнеры планируют завершить в 2010 году. Затем последует переход на 30 нм проектные нормы. Производство будет осуществляться в Хиросиме и Дрездене. Также будут расширены совместные разработки в области Through Silicon Via Technology, а широкий спектр перекрестного лицензирования продуктов интеллектуальной собственности предоставит партнерам полную свободу выбора проектных решений при разработке продуктов и технологий.

 

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями