В памяти данного вида используется стеклоподобное вещество, способное менять термодинамическую фазу между аморфной и кристаллической под действием электрического тока. Теперь же в Intel и STMicro добились того, что вещество способно принимать уже четыре различных фазы, а не две, как раньше: теперь оно также может находиться в жидком и полужидком виде. Соответственно, вдвое выросла плотность памяти. По словам разработчиков, микросхемы также стали экономичнее с точки зрения потребляемой энергии.

Над созданием памяти на фазовых состояниях работают и другие компании, в том числе IBM, Qimonda, Macronix и Samsung. Сама технология такой памяти была предложена еще в 60-х годах, однако из-за высокой стоимости и большой электрической мощности, требуемая для смены фазы, она не могла конкурировать с динамической и флэш-памятью. Intel и STMicroelectronics сотрудничают в деле создания фазовой памяти с 2003 года. В конце марта компании откроют совместное предприятие по выпуску такой памяти - Numonyx, которое на 48,6% будет принадлежать STMicro, на 45,1% - Intel. До тех пор, пока фазовая память не будет готова к выводу на рынок, Numonyx будет заниматься производством флэш-памяти.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями