Идея многослойных микросхем не нова, но до сих пор уровни в них соединялись длинными проводниками, огибающими слои через края. По словам сотрудников IBM, проделав сквозные отверстия, можно будет пользоваться проводниками в тысячу раз короче, которым к тому же потребуется на 40% меньше электрической мощности. IBM "сверлит" отверстия в кристаллах химическим способом в ходе стандартного процесса изготовления КМОП, благодаря чему начать поставку образцов заказчикам можно будет уже во второй половине этого года, и приступить к производству в полном масштабе в 2008-м. Как ожидается, первыми заказчиками станут производители оборудования WLAN и сотовой связи. Затем в IBM применят данный способ, получивший название silicon-through-vias, к своим собственным микропроцессорам, размещая чипы серии Power поверх памяти, что позволит ускорить обмен данными с нею. Как утверждают в IBM, такой метод даст возможность в 100 раз увеличить количество каналов в тракте обмена данными по сравнению с ныне возможным. По мнению специалисты, новая технология обеспечивает столь значительные преимущества, что ведущие производители процессоров для ПК, включая AMD и Intel, возможно, начнут применять ее уже в 2010 году.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями