Ученые предложили метод одновременного натяжения и сжатия кремния, обеспечивающий скачкообразное повышение производительности системы и снижения энергопотребления. Этот процесс обеспечивает до 24% прироста скорости транзисторов при том же уровне энергопотребления, что и у аналогичных транзисторов, изготавливаемых без использования этой технологии. Технология Dual Stress может также применяться с целью снижения энергопотребления. Более быстрые и энергетически эффективные транзисторы являются функциональными блоками для построения высокопроизводительных процессоров с пониженным энергопотреблением (например, Powe5 ). Dual Stress не требует перехода на более сложные и дорогостоящие технологические процессы.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями