Время доступа -- 34 мс. До сих пор все микросхемы MRAM, работающие на напряжении 1,8 В обладали низкой скоростью чтения, что являлось их главным недостатком. В декабре 2004 тандем производителей обещал создать в этом году микросхемы емкостью 254 Мбайт, теперь эта цель стала достижима. Если компаниям удастся при создании более емких микросхем удержать производительность на текущем уровне, то откроется реальная перспектива их коммерческого выпуска.

Источник: IDG News