еще ряд соединений из элементов III и IV столбца периодической системы в качестве основы для транзисторов, чтобы иметь возможность поддерживать исполнение закона Мура в ближайшее десятилетие и далее. Свойства антимонида индия таковы, что изготовленные из него транзисторы способны переключаться со скоростью нынешних, но потребляемая при этом мощность на порядок меньше. При энергопотреблении же, аналогичном современным транзисторам, новые демонстрируют втрое более высокую производительность. Как считают в Intel, начать использовать антимонид индия в производстве микросхем можно будет ориентировочно в 2015 году.

Techworld.com

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями