, что в восемь раз больше по сравнению с имеющимися сегодня на рынке. Наиболее современные микросхемы флэш-памяти имеют топологический размер элемента около 90 нм. Попытки повысить плотность упаковки затруднялись физическими явлениями, происходящими при достижении элементами наноразмеров. В Infineon преодолели трудности, создав ячейку, представляющую собой трехмерную структуру с транзистором в виде вертикального "ребра". Такая геометрия сводит к минимуму нежелательные эффекты и значительно улучшает электростатические качества транзистора по сравнению с обычными "плоскими".

Служба новостей IDG, Дюссельдорф

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями