Как заявляют в IBM, производительность транзисторов с растянутым германием втрое выше, чем у обычных. Методика успешно опробована, но требует доработки. В IBM надеются, что ее можно будет применять при изготовлении микросхем с топологическим размером элемента 32 нм - соответствующую технологию в корпорации рассчитывают внедрить около 2013 года.

Служба новостей IDG, Сан-Франциско