, ученые нагрели диблок-сополимер одновременно с кремниевой основой, в результате чего им удалось сформировать на ней микросхему памяти с топологическим размером элемента около 20 нм. Теоретически возможно образование и более мелких элементов, но пока этого добиться не удалось. По словам представителя IBM, основное преимущество новой методики состоит в том, что ее внедрение не потребует существенной модификации существующих технологических линий по выпуску микросхем.

Служба новостей IDG, Бостон

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями