, которая предусматривает дополнительный затвор, позволяющий снизить нагрев за счет двукратного увеличения пропускаемого тока, и тонкий вертикальный кремниевый "плавник" (fin), уменьшающий утечку тока в периоды нахождения транзистора в выключенном состоянии. Первой FinFET-транзистор с затвором 35 нм выпустила в июне компания TSMC; со временем длину затвора было обещано уменьшить до 9 нм.

Служба новостей IDG, Австралия

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями