- 512 Мбит, напряжение питания 1,8 В, скорость передачи данных - 533 Мбит/с (согласно заявлению Samsung, возможно увеличение до 667 Мбит/с). Массовое производство микросхем планируется начать в третьем квартале 2003 года.

Служба новостей IDG, Лондон

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями