В настоящее время Samsung изготавливает 512-мегабитные микросхемы DDR SDRAM по 0,12-микронной технологии. В будущем году планируется перейти на 0,10-микронную, а к 2004 - на 0,07-микронную технологию. В компании предполагают, что к концу текущего года доля микросхем DDR SDRAM высокой емкости в общем объеме динамической оперативной памяти, выпускаемой Samsung, достигнет 45%.

Служба новостей IDG, Тайбэй

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями