Компания Hynix анонсировала создание первого в мире модуля памяти DDR4 емкостью 128 Гбайт. На нем можно хранить в два раза больше данных, чем на ранее выпущенных Hynix модулях, максимальная емкость которых составляет 64 Гбайт.

Новый модуль может похвастаться и самой высокой в мире плотностью. Он создан на базе микросхем DDR4 объемом 8 Гбит, в производстве которых используется литографический процесс с нормой проектирования 20 нм.

Новый модуль памяти производит обмен данными со скоростью 2,133 Гбит/с, одновременно выполняя операции над 64 разрядами. Таким образом, его совокупная пропускная способность составляет 17 Гбайт/с. От существующих модулей памяти DDR3 с напряжением питания 1,35 В DDR4 отличается еще и низким энергопотреблением, поскольку напряжение питания у него снижено до 1,2 В.

Хотя крупные производители (Hynix, Samsung и Crucial) уже наладили выпуск памяти DDR4 следующего поколения, появление серверов, оснащенных такими модулями, ожидается только к концу текущего года, а ПК — в 2015 году.

Пока компании Intel и AMD не обеспечат поддержку стандарта DDR4 в своих процессорах, пользователи не будут иметь доступа к преимуществам новой технологии, которая, по словам аналитиков, сулит удвоение производительности, удвоение базовой емкости и сокращение энергопотребления на 20-40%.

Ожидается, что Intel обеспечит поддержку памяти DDR4 в компьютерах старшего класса в третьем квартале.

Компания Hynix планирует начать поставки модулей DDR4 емкостью 64 и 128 Гбайт в ближайшее время.

Запуск массового производства модулей Hynix емкостью 128 Гбайт ожидается в начале следующего года. Их объем будет удвоен по сравнению с существующими модулями, емкостью 64 Гбайт. Кроме того, в новых модулях будет использована технология TSV (Through Silicon Via) — метод вертикальных электрических соединений в кристалле кремния, позволяющий создавать трехмерные интегрированные схемы.

«Появление первого в мире модуля DDR4 емкостью 128 Гбайт знаменует собой открытие рынка серверной памяти сверхвысокой плотности, — отметил руководитель направления разработки памяти DRAM компании Hynix Сун Чжу Хонг. — В дальнейшем мы намерены укреплять свою конкурентоспособность на рынке памяти DRAM старшего класса и выпускать продукты, отличающиеся сверхвысокой производительностью и пониженным энергопотреблением».

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF