Специалисты IBM и Технологического института Джорджии добились возможности работы микропроцессора на частоте около 500 ГГц. Для этого ими был изготовлен прототип микросхемы из кремниево-германиевого сплава (SiGe) на гетероструктурных биполярных транзисторах, способных при комнатной температуре переключаться с частотой 350 ГГц. Затем процессор был охлажден до температуры, близкой к абсолютному нулю, после чего рабочую частоту удалось повысить более чем до 0,5 ТГц. Согласно результатам компьютерного моделирования, новое поколение метода формирования SiGe-микросхем позволит создавать транзисторы, способные переключаться на околотерагерцевых частотах даже без экстремального охлаждения.