можно изменять электрическим полем — на этом принципе основан разрабатываемый рядом компаний новый тип памяти. Однако ее емкость пока невелика, поскольку стабилизировать сегнетоэлектричество на атомном уровне до сих пор не удавалось. Ученые выяснили, что стабилизировать дипольные моменты в волоске сегнетоэлектрика толщиной порядка 10 атомов можно, просто погрузив его в каплю воды, — ее гидроксильные ионы отлично справляются с задачей экранирования деполяризующих влияний. Исследователи приступили к разработке способов плотной сборки сегнетоэлектрических волосков и механизмов записи и считывания информации с них.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями