Физики Вашингтонского университета в Сент-Луисе и Аргоннской национальной лаборатории надеются, что их открытие позволит приблизить использование сверхпроводников. Им удалось разработать метод анализа уровня насыщения кислородом «межзеренных» границ — областей между кристаллами, имеющих объем в несколько атомов. При наличии незаполненных областей сверхпроводящие свойства вещества ухудшаются, и до сих пор науке были известны лишь способы проверки самих кристаллических структур, но не межзеренных границ. Новый метод состоит в регистрации уровня плотности тока в сверхпроводнике, находящемся в магнитном поле под переменным давлением. Было установлено, что при заполнении всех межзеренных границ плотность тока изменяется незначительно, тогда как при наличии свободных полостей наблюдается резкий скачок показателя.