Во второй половине текущего года у Intel, по словам представителей корпорации, будет уже четыре завода, выпускающих процессоры по технологии 65 нм

Приступив в конце 2005 года к массовому выпуску процессоров по технологии 65 нм, в корпорации Intel сделали очередной шаг вперед в развитии и внедрении кремниевых технологий. Этот шаг был тем более важен, поскольку прошлый год складывался для Intel не очень удачно и у корпорации было не так много возможностей переломить ситуацию. В третьем квартале нынешнего года, как рассчитывают в Санта-Кларе, объемы выпуска продукции Intel по техпроцессам с нормами проектирования 90 и 65 нм сравняются, и произойдет это параллельно выходу процессоров Conroe и Woodcrest, выполненных на основе новой микроархитектуры Intel Core.

«Мы полагаем, что находимся сейчас примерно на год впереди конкурентов с точки зрения внедрения 65-нанометровой технологии в массовое производство, и мы продолжаем свои инвестиции в данном направлении», — заявил в ходе весеннего форума IDF в Сан-Франциско директор по технологиям Intel Джастин Раттнер.

Woodcrest, Conroe и Merom — с началом выпуска этих процессоров у Intel должны сравняться объемы выпуска продукции по технологиям 90 и 65 нм

По его словам, техпроцесс 65 нм в Intel некоторое время назад начали применять при массовом выпуске продукции на двух предприятиях по обработке кремниевых пластин диаметром 300 мм, расположенных в штатах Аризона и Орегон. Начиная со второго полугодия к ним должны добавиться еще две фабрики (одна в Ирландии и одна в штате Орегон), а совсем недавно (в конце января) в Санта-Кларе объявили об успешном создании микросхемы статической оперативной памяти (SRAM) по технологии 45 нм. Традиционно именно с опытных образцов SRAM (процессорный кэш использует этот тип памяти) начинается переход на каждую следующую ступень в промышленном освоении кремниевых технологий, который в Intel, как известно, стремятся упорядочить по шкале времени в соответствии с законом Мура.

Незадолго до IDF в ряде источников появилась информация о том, что тайваньские компании TSMC и UMC, контролирующие львиную долю контрактного производства микросхем в мире, активизируют свои усилия по формированию пула заказчиков, которым требуется техпроцесс 65 нм. Назывались конкретные имена заказчиков (в частности, Xilinx), которые уже договорились о выпуске на Тайване микросхем по этой технологии. Но, конечно, ни этих заказчиков, ни TSMC с UMC нельзя отнести к главным конкурентам Intel.

Уже начали переход к использованию техпроцесса 65 нм и в корпорации IBM — на заводе в Ист-Фишкилле, и это уже куда как горячее, если говорить о главных конкурентах Intel, особенно с учетом партнерства IBM и AMD. В прошлом году многие ожидали, что на этот раз AMD если и не опередит Intel в укрощении нанометров, то по крайней мере будет очень близка к ничьей. В последнее время, однако, складывается впечатление, что в этом раунде положение AMD несколько осложнилось. В компании по-прежнему делают оптимистичные заявления о том, что быстрый выход на низкие показатели отбраковки микросхем при переходе к новому технологическому процессу позволяет AMD держать дистанцию «ближе, чем в Intel хотели бы вообразить», но при этом предпочитают уходить от ответов на прямые вопросы о внедрении техпроцесса 65 нм в массовое производство.

При выпуске микросхем по технологии 65 нм в Intel используют литографическое оборудование с длиной волны 193 нм. Его же предполагается применять и на следующей стадии укрощения нанометров (45 нм). Ранее предполагалось, что внедрение техпроцесса 32 нм потребует уже так называемой экстремальной ульрафиолетовой литографии (EUV) с длиной волны 13 нм, но, как заявил в ходе IDF директор по стратегическим вопросам технологического развития подразделения Intel Technology and Manufacturing Group Паоло Гаргини, более поздние исследования опровергли это предположение. Появления процессоров, выполненных по технологии 45 нм, по его словам, можно ожидать уже в конце 2007 года.

Как уже сообщалось ранее, реализация техпроцесса 65 нм на заводах Intel связана с применением маскирования с фазовым сдвигом (phase-shift masking) и технологии так называемого растянутого кремния (strained silicon). К технологии «кремний на изоляторе» в Intel, по словам Гаргини, по-прежнему относятся скептически, рассматривая ее в перспективе как нежизнеспособную (в AMD придерживаются прямо противоположной точки зрения). Не верит он и в возможность полноценного коммерческого применения углеродных нанотрубок как минимум в ближайшие пять лет.

«Развитие этой технологии продолжается, и мы считаем, что она вполне может быть востребована где-нибудь, скажем, в 2015 году», — заявил Гаргини. Зато, по его словам, одним из возможных способов продлить жизнь закону Мура может стать многоярусная упаковка кристаллов по стековому принципу.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями