Служба новостей IDG, Тайбэй
Представители Samsung Electronics сообщили о создании первых микросхем памяти DRAM, которые будут выпускаться по технологии 70 нм. Внедрив на своих фабриках новые технологические процессы, корпорация сможет удвоить количество микросхем, размещаемых на одной кремниевой подложке.
В настоящее время Samsung является крупнейшим в мире поставщиком микросхем памяти. На первом этапе норму проектирования 70 нм планируется использовать при производстве микросхем DDR2 DRAM емкостью 512 Мбит.
Норма проектирования характеризует размер транзисторов и других элементов, вытравливаемых на микросхеме. Чем больше транзисторов содержит микросхема и чем ближе они расположены друг к другу, тем мощнее микросхема. Для Samsung и ее конкурентов, компаний Micron Technology и Infineon Technologies, дальнейшее уменьшение нормы проектирования очень важно, поскольку это позволяет увеличить число выпускаемых микросхем и снизить себестоимость их производства.
По данным электронного информационного центра DRAMeXchange, цены на наиболее популярные микросхемы памяти DRAM за текущий год упали почти на треть. Микросхемы DRAM сегодня продаются в таких объемах, что торги ими наряду с такими товарами, как нефть или пшеница, осуществляются на товарных биржах.
По оценкам Samsung, после перехода на норму проектирования 70 нм, на большинстве производственных линий число микросхем DRAM на подложке удастся увеличить по крайней мере вдвое по сравнению с использованием 90-нанометровой технологии. Микросхемы размещаются на кремниевых пластинах размером с обеденную тарелку. Каждая такая подложка может содержать тысячи микросхем.
«Переход на норму проектирования 70 нм при производстве микросхем DRAM предполагается осуществить во второй половине следующего года, — сообщил представитель Samsung Сун Хе Парк. — В настоящее время соответствующая технология уже используется при выпуске флэш-памяти NAND, что же касается микросхем DRAM, они по-прежнему изготавливаются с применением техпроцессов на 90 нм и 80 нм».
Инженеры Samsung предложили ряд технических усовершенствований, которые после перехода на 70-нанометровую технологию должны помочь преодолеть существующие ограничения компоновки ячеек памяти DRAM и улучшить выполнение функций обновления данных.
Корпорация использует 90-нанометровую технологию при производстве микросхем DRAM с середины 2004 года, а во второй половине 2005 года приступила к переходу на норму проектирования 80 нм. Как утверждают в Samsung, 70-нанометровая технология будет применяться при изготовлении микросхем DRAM начиная с середины следующего года. Первыми изделиями, выпущенными по данной технологии, станут микросхемы памяти емкостью 512 Мбит, 1 Гбит и 2 Гбит.