переходить из аморфного состяния в кристаллическое и обратно под воздействием электрического поля. Первое из состояний соответствует логическому 0, второе — 1; хранимое значение определяется по уровню электрического сопротивления вещества. По сравнению с флэш-технологией PCM-память имеет ряд преимуществ — она не требует применения плавающих затворов, что делает ее более быстрой и надежной, не нуждается в обязательном стирании данных перед перезаписью и т. д. Выпуск памяти PCM на рынок возможен через три—пять лет.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями