Сократить топологический размер элемента в AMD, по словам представителя компании, рассчитывают при помощи методики «полностью обедненного кремния на изоляторе», которая позволит уменьшить накопление электрического заряда в различных участках транзистора. Затвор 45-нанометрового транзистора планируется изготавливать из силицида никеля вместо ныне применяемого поликремния. Скорость прохождения электронов от атома к атому планируется увеличить за счет метода местной деформации. И в Intel, и в AMD пытаются разрешить проблему утечки тока — Intel воспользуется неким материалом с высокой диэлектрической проницаемостью, AMD — «более распространенными веществами».

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями