В Samsung Electronics разработан прототип микросхемы флэш-памяти, соответствующей по емкости самой вместительной из предлагаемых компанией ныне, но меньшую по физическим размерам. Емкость микросхемы — 4 Гбит (512 Мбайт), длина затвора транзисторов (одна из основных характеристик, определяющих допустимую плотность упаковки элементов) — 70 нм. Для сравнения: ныне выпускаемая компанией четырехгигабитная микросхема имеет длину затвора транзистора 120 нм. С 1999 года, когда была разработана 256-мегабитная микросхема флэш-памяти, Samsung удавалось ежегодно удваивать плотность упаковки элементов в микросхемах памяти; в компании поддержали традицию на этот раз и надеются поддерживать далее. По прогнозу представителей Samsung, за период с нынешнего по 2007 год годовой оборот рынка флэш-памяти на элементах И-НЕ вырастет с 3 до 16 млрд. долл. В самой же компании ставят своей задачей сохранять ежегодный прирост объема продаж на уровне 70%. По данным IDC, в настоящее время Samsung вместе с Toshiba являются лидерами рынка флэш-памяти.