Усовершенствованиям в технологиях изготовления микросхем, предложенным инженерами IBM, посвящена виртуальная галерея, которая расположена в Web по адресу http://www.chips.ibm.com/ gallery

Представители корпорации IBM сообщили о разработке, которая позволит повысить производительность микропроцессоров на 35%. Технология получила название Strained Silicon; суть метода заключается в помещении под кремний слоя другого вещества с более разреженной атомной структурой, что приводит к увеличению межатомных расстояний и в самом кремнии — он как бы «растягивается».

Вследствие этого скорость прохождения электронов через транзисторы увеличивается, приводя тем самым к увеличению общей производительности микросхемы. Кроме того, как подчеркнули представители IBM, такой метод позволяет оптимизировать уровень потребления энергии.

«Электроны — нули и единицы, перемещающиеся по микросхеме, — в растянутом кремнии обладают на 70% более высокой скоростью прохождения, что в свою очередь приводит к 35-процентному увеличению производительности и сравнимому уменьшению уровня потребляемой энергии», — сказал Руперт Дейтон, пресс-секретарь расположенного в Женеве (Швейцария) отделения IBM Microelectronics.

По словам Дейтона, новая технология может найти применение при изготовлении любых видов кремниевых микросхем, однако, как он считает, ее внедрение начнется с высокопроизводительных микропроцессоров. «Сверхцель — высокая производительность. Поэтому первыми на эту технологию, по всей видимости, будут переведены специализированные сетевые процессоры и заказные микросхемы», — сказал он.

Последние достижения в увеличении скорости микросхем были связаны с такими изменениями в процессе изготовления полупроводниковых компонентов, которые приводят к уменьшению размеров транзисторов и их более плотной упаковке. Благодаря этому в микросхеме удается реализовать больше функций, а сигналы между разными ее частями проходят быстрее. Однако подобное простое масштабирование уже вскоре станет невозможным, поскольку размеры транзисторов становятся сравнимыми с размерами атомов.

Кроме того, масштабирование обходится чрезвычайно дорого, поскольку производители вынуждены покупать новое оборудование всякий раз, когда изменяется норма проектирования микросхем.

«Уменьшение фактического размера транзисторов на микросхеме требует внесения изменения в технологию литографии. Стоимость же каждого завода измеряется миллиардами долларов», — сказал Дейтон.

«?Растянутый кремний? как таковой изобретен не IBM», — признал он. — Мы взяли теоретическую концепцию и применили ее к важной практической задаче».

По словам представителей IBM, ее производственные мощности для реализации новой технологии кардинальным образом переоборудовать не придется. Однако в корпорации полагают, что новый метод изготовления микросхем будет внедрен в промышленное производство не ранее чем через три года.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями