Служба новостей IDG, Токио

Samsung Electronics выпустила прототип микросхемы памяти, которая работает в четыре раза быстрее модулей, устанавливаемых сегодня в ПК. Ускорение работы памяти приведет к общему повышению производительности перспективных ноутбуков, настольных компьютеров и серверов.

Память, получившая название DDR3 (double data rate 3) DRAM (dynamic random access memory), может обрабатывать данные со скоростью до 1,06 Гбит/с. Максимальная емкость микросхемы составляет 512 Мбит. Согласно заявлению, распространенному пресс-службой Samsung, широкомасштабное производство микросхем с пропускной способностью от 800 Мбит/с до 1,06 Гбит/с планируется организовать в начале 2006 года.

Микросхемы DRAM представляют собой основной тип памяти, используемой в ПК и серверах. Чем быстрее работает память, тем выше скорость реакции компьютера.

В большинстве современных ПК установлена память DDR SDRAM, передающая данные со скоростью от 266 Мбит/с до 400 Мбит/с.

В прошлом году на рынке появился более быстрый тип памяти DDR2 с пропускной способностью от 400 Мбит/с до 667 Мбит/с. Такая память сегодня очень быстро завоевывает популярность.

Вероятно, именно DDR2 в 2006 году станет основным типом памяти. Что касается DDR3, эта технология является преемником DDR2.

Поскольку микросхемы DDR3 обрабатывают информацию быстрее своих предшественников, для выполнения аналогичного объема задач им требуется меньше электроэнергии. В результате у производителей появляется возможность сэкономить энергию батарей, что имеет особенно важное значение для ноутбуков. Улучшение параметров энергосбережения — главное условие увеличения продолжительности работы компьютера от батарей, а более быстрая память потребляет меньше электроэнергии.

Кроме того, микросхемам требуется меньшее напряжение питания. Микросхемы Samsung DDR3 функционируют при напряжении питания 1,5 В, в то время как на микросхемы DDR2 необходимо подавать напряжение равное 1,8 В. Уменьшение напряжения питания позволяет сэкономить электроэнергию и увеличить тем самым продолжительность работы от батарей.

Еще один крупный производитель памяти, немецкая компания Infineon Technologies, также занимается разработкой микросхем DDR3. Как сообщают в Infineon, прототип микросхемы должен быть анонсирован в ближайшее время.

Ожидается, что массовый рынок микросхем DDR3 сформируется к 2007 году. А по прогнозам аналитиков IDC, в 2009 году этот тип памяти станет наиболее распространенным. На его долю будет приходиться две трети от общего объема продаж.