Аппаратная имитация синапса — интерфейса связи между нейронами — сопряжена с определенными сложностями. Чаще всего синапсы пытались изготавливать из аморфных материалов, в которых сложно контролировать поток ионов ввиду обусловленного неоднородностью среды бесчисленного множества их маршрутов. В МТИ пошли по другому пути, создав искусственный синапс на основе монокристаллического кремния — материала без дефектов, обладающего регулярной структурой. Чтобы обеспечить прогнозируемое прохождение ионов, поверх кремния поместили слой германия, внеся тем самым одномерный линейный дефект. В ходе тестирования чипа с искусственными синапсами поток ионов по ним различался не более чем на 4% — это намного лучше, чем при использовании аморфных материалов.