В настоящее время Samsung изготавливает 512-мегабитные микросхемы DDR SDRAM по 0,12-микронной технологии. В 2002 году планируется перейти на 0,10-микронную, а к 2004-м — на 0,07-микронную технологию. В компании предполагают, что к концу года доля микросхем DDR SDRAM большой емкости в общем объеме динамической памяти, выпускаемой Samsung, достигнет 45%.