Компании IBM и Samsung объявили о создании технологического процесса производства энергонезависимой памяти, которая работает в 100 тыс. раз быстрее флеш-памяти NAND и имеет практически неограниченный ресурс циклов чтения и записи. Компании разрабатывают магниторезистивную (MRAM) память следующего поколения с использованием технологии STT (spin-transfer torque), что позволит создавать более эффективные микросхемы памяти небольшой емкости для датчиков Интернета вещей, носимых устройств и мобильной техники, где сейчас используется флеш-память NAND. Если флеш-памяти NAND для записи данных требуется одна миллисекунда, то у MRAM эта процедура занимает всего 10 наносекунд. В обозримом будущем память STT MRAM вряд ли придет на смену микросхемам DRAM, но встроенную флеш-память она вполне способна потеснить.

Новая MRAM похоронит флеш-память

Купить номер с этой статьей в PDF