Источник: Samsung 

Samsung создала новый тип памяти для смартфонов, основанной на чипе LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) RAM. Его пропуская способность (до 12 Гбит/с) значительно выше чем у нынешней мобильной памяти DDR DRAM (1,6 Гбит/с), благодаря 16-кратному увеличению количества контактов — с 32 до 512 единиц. Несмотря на столь значительный прирост производительности, энергопотребление в новом чипе снижена на 87% по сравнению с нынешней памятью.

Новый тип памяти поначалу будет реализован в чипах емкостью 1 Гбит (128 Мбайт), изготовленных с использованием 50-нм техпроцесса. Сроки выпуска неизвестны. К 2013 году Samsung планирует освоить производство чипов плотностью 4 Гбит (512 Мбайт) с использованием 20-нм технологии.