из Intel Labs рассказали о том, что получили опытные образцы транзисторов с размером элементов всего 20 нм, т. е. они оказались на 30% меньше существующих. А кроме того, работают на 25% быстрее. Экспериментальные образцы изготовлены из тех же материалов, что и современные компьютерные чипы, и имеют такую же физическую структуру.

Новые транзисторы, по мнению Intel, составят основу 0,045 мкм-технологии, на основе которой предполагается в 2007 г. запустить производство микропроцессоров. Вентильные схемы, построенные на подобных транзисторах, обеспечат при управлении электронными потоками в схемах быстродействие свыше триллиона переключений в секунду. Подобная производительность обеспечивается наряду со всем прочим необходимой для формирования затвора транзистора толщиной пленки всего в три атомарных слоя. Базирующиеся на новой технологии микропроцессоры будут включать около одного миллиарда транзисторов и работать с частотой до 20 ГГц.

Итак, данное решение свидетельствует о мирном и полезном сосуществовании нано- и полупроводниковой электроник. Дополнительная информация об исследованиях в этой области есть на сайте www.intel.com/research/silicon.

Г.Р.

441