Выпуск первых опытных партий запланирован на начало 2004 года. Компании будут производить микросхемы флэш-памяти типа И-НЕ емкостью по 2 и 4 Гбит. Такая память отличается высокой скоростью перезаписи и применяется в картах Smart Media, Compact Flash и Secure Digital. Другие производители также совершенствуют флэш-память: в частности, в августе Samsung начала производство микросхем емкостью 1 Гбит в соответствии с нормой проектирования 120 нм.

Служба новостей IDG, Амстердам

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями