микросхемы с топологическим размером элемента 130 нм; следующим этапом считается 90 нм. В TSMC убеждены, что со временем на базе разработанных в компании транзисторов удастся изготавливать микросхемы с топологическим размером элемента 13 нм. С уменьшением транзистора увеличивается утечка тока и перегрев микросхемы. В связи с этим специалисты предсказывали достижение физических пределов технологии КМОП уже в ближайшее время. Идея TSMC заключается в снижении утечки за счет добавления второго затвора, что позволяет далее уменьшить транзистор. По мнению инженеров TSMC, им удалось продлить жизнь КМОП-технологии еще примерно на два десятилетия.

Служба новостей IDG, Тайбэй

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями