Компания Samsung представила первый в мире модуль памяти DRAM LPDDR4 объемом 8 Гбайт, который в два раза превосходит по емкости и производительности типичные модули DRAM для ПК.

Новая память DRAM LPDDR4 (low power, double data rate 4) выпускается по 10-нанометровой технологии, что позволяет увеличить ее емкость в два раза по сравнению с существующей памятью DRAM с нормой проектирования 20 нм. Мобильный модуль имеет размеры 15 x 15 x 1 мм. Теперь компания Samsung планирует перевести все свои заводы на 10-нанометровый технологический процесс.

Новые модули Samsung LPDDR4 помогут увеличить объем оперативной памяти мобильных ПК

В большинстве ультратонких ноутбуков старшего класса уже сейчас установлено 8 Гбайт памяти DRAM. Новые же модули Samsung LPDDR4 емкостью 8 Гбайт помогут увеличить объем оперативной памяти мобильных устройств.

В ходе тестирования скорость передачи данных при использовании новой памяти Samsung достигала 4,266 Мбит/с, что в два раза превосходит пропускную способность существующей памяти DDR4 и позволяет повысить эффективность функционирования виртуальных машин и обеспечить более плавное воспроизведение видео 4K UHD.

«Таким образом, при наличии 64-разрядной шины памяти общая пропускная способность превысит 34 Гбайт/с», — заявили в Samsung.

Модуль памяти объемом 8 Гбайт для мобильных устройств включает в себя четыре новейшие микросхемы LPDDR4 емкостью 16 Гбит.

В августе прошлого года компания Samsung представила первую микросхему DRAM LPDDR4 емкостью 12 Гбит, изготовленную по 20-нанометровому технологическому процессу. И вот спустя 14 месяцев анонсирована микросхема DRAM LPDDR4 емкостью 16 Гбит с нормой проектирования 10 нм и модуль объемом 8 Гбайт, который позволит наладить выпуск мобильных устройств следующего поколения с еще более высоким уровнем производительности.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF