Память с изменением фазового состояния компактнее обычной флэш-памяти, обладает большей плотностью записи и скоростью доступа, однако у нее есть и свои недостатки. Ученым лаборатории IBM Research в Цюрихе удалось решить самую серьезную проблему PCM: изменение сопротивления с течением времени, что снижает надежность хранения данных и ограничивает возможности создания многоуровневых ячеек. Работа ячеек PCM основана на свойстве некоторых материалов «переключаться» между кристаллическим и аморфным фазовым состоянием под воздействием электротока. В аморфном состоянии материал обладает высоким сопротивлением, а в кристаллическом — низким. Изменение сопротивления ячейки зависит от напряжения тока, и поэтому одна ячейка может находиться не только в двух, но и в большем числе состояний, сохраняя более одного бита информации. Однако в аморфном состоянии сопротивление со временем растет. Ученые заметили, что в среднем сопротивление ячеек растет с одинаковой скоростью, и создали метод кодирования, исправляющий ошибки. Скорость записи даже в худшем случае более чем в 100 раз превышает скорость лучшей современной флэш-памяти.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF