Инженеры Мичиганского университета нашли способ улучшить свойства материалов, используемых в основе ферроэлектрической памяти. Память данного типа отличается энергонезависимостью, является более долговечной, чем флэш-память, и потенциально способна обеспечить более высокую емкость. Ее недостаток — для работы нужно создавать сильные электрические поля. Исследователи наложили ферроэлектрик на изолятор с очень похожей кристаллической решеткой. В такой структуре на поверхности ферроэлектрика спонтанно создаются электрические поля, что приводит к образованию расположенных через равные интервалы областей, в которых поляризация молекул постепенно меняет свое направление по спирали. Благодаря их наличию не требуется специально прикладывать дополнительное поле для создания доменов, и для модификации состояния ячейки требуется меньше энергии.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF