Это значительно увеличивает скорость чтения и емкость носителей памяти при сохранении прежнего уровня энергопотребления. Новая память обеспечивает скорость чтения 133 Мбит/с, что значительно превосходит показатели чипов SDR NAND (40 Мбит/сек). При использовании нового решения DDR в картах памяти сигналы передачи данных дублируются, это позволяет достичь скорости чтения до 60 Мбит/с, что на 300% превосходит средний результат SDR NAND (17 Мбитсек). Асинхронные чипы памяти Samsung могут использоваться в твердотельных дисках, SD-картах и собственной памяти Samsung moviNAND, а также в MP3- и медиаплеерах или автомобильных навигационных системах.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF