В среду компания Intel объявила о завершении этапа конструкторских работ в создании технологии производства микросхем с характерным масштабом элементов в 32 нм. По плану заводы компании должны начать выпуск таких микросхем в четвертом квартале 2009 года. В изготовлении 32-нанометровых микросхем Intel будет применяться второе поколение технологии «high-k-диэлектрик и металлический затвор» и иммерсионная литография на 193 нм.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF