Резкий рост объемов оперативной памяти серверных систем уже не за горами. Применение модулей FB-DIMM позволит увеличить их в несколько раз по сравнению с нынешними решениями, и это должно стать реальностью в течение ближайших лет
По оценкам специалистов Infineon, уже в 2007 году доля рынка памяти FB-DIMM будет значительно больше, чем у регистровых DIMM

Технология оперативной памяти Fully Buffered DIMM (FB-DIMM), в поддержку которой зимой нынешнего года было образовано онлайновое сообщество Memory Implementers Forum, через некоторое время станет одной из ключевых составляющих серверных платформ. Вряд ли это произойдет в ближайшие месяцы, поскольку технология пока еще не набрала необходимой силы. Но, как заметил в ходе IDF директор по технологическим инициативам подразделения Intel Enterprise Platforms Group Джим Паппас, к 2006 году память FB-DIMM уже вполне созреет для того, чтобы всерьез заявить о себе на рынке.

Архитектурно FB-DIMM представляет собой довольно интересное решение. На каждом модуле памяти FB-DIMM располагается специальная микросхема — Advanced Memory Buffer (AMB). По сути, она выступает в качестве своеобразного распределительного центра — через AMB проходят все данные в направлении к и от микросхем памяти, составляющих модуль. Кроме того, AMB выполняет функции буферизации (данных, адресов и команд) и отвечает за перенаправление данных к следующему модулю или от него обратно к контроллеру (доступ к регистрам AMB может осуществляться по шине SMBus). Для передачи данных от контроллера используется 10 дифференциальных пар, к контроллеру — 14. Интерфейс FB-DIMM — последовательный. Механизмы прохождения и обработки сигналов, по словам представителей Intel, схожи с теми, которые применяются в технологии PCI Express.

При изготовлении модулей FB-DIMM, как предполагается, будут использоваться те же самые микросхемы памяти DDR2 (а затем и DDR3), которые применяются в обычных модулях памяти. Поддерживается также память с контролем и коррекцией ошибок (ECC). Производителям материнских плат обещают существенное упрощение дизайна. В настоящее время для трассировки сигналов и подачи питания на модули регистровой памяти при наличии лишь одного канала задействуется три слоя печатных плат. В случае с двухканальной памятью FB-DIMM, как отметил ведущий инженер подразделения Intel Enterprise Platforms Group Петер Фогт, достаточно будет двух слоев. Обещано также и уменьшение латентности по сравнению с нынешними устройствами памяти.

Габаритные размеры у модулей FB-DIMM останутся теми же, что и у нынешних DDR2, а количество контактов будет значительно меньшим — 69 против 240. При этом, по словам представителей Intel, конструктивно модули FB-DIMM и слоты для них будут выполнены так, чтобы полностью исключить возможность ошибочной установки.

Пропускная способность канала FB-DIMM при использовании микросхем типа DDR2-800 (этот тип памяти, по расчетам Intel, будет одним из главенствующих на рынке к моменту начала массовой экспансии новой технологии), как ожидается, составит около 6,7 Гбайт/с.

«Но самым главным достоинством FB-DIMM, конечно же, является рекордная емкость подсистем памяти, в которых будут использоваться такие модули, — подчеркнул Фогт. — Шесть каналов с восемью модулями в каждом при двухрядном расположении в них DRAM-устройств емкостью 1 Гбит дадут в сумме 192 Гбайт!»

Из технологических решений, направленных на повышение надежности FB-DIMM, стоит выделить защиту контрольных сумм (не только для данных, но и для команд), коррекцию переключения сигнальных линий при сбоях, фиксацию и возврат кодов кратковременных ошибок в сигнальных линиях, а также процедуры автоматического тестирования AMB. Работа над некоторыми спецификациями, регламентирующими создание устройств на основе технологии FB-DIMM (в частности, спецификации архитектуры, протоколов, коннекторов и модулей) уже завершена. Работа над остальными, как предполагается, будет закончена в ближайшее время. Домыслы о возможных размолвках между Intel и JEDEC (после февральского анонса о создании MIF они вновь стали звучать чаще) в Санта-Кларе опровергают заявлениями о плотном сотрудничестве с JEDEC в выработке стандартов FB-DIMM. Тестовое оборудование для проверки интероперабельности модулей и других устройств с поддержкой новой технологии памяти, как ожидается, появится в нынешнем году.

В ходе IDF компания Infineon уже демонстрировала первые образцы модулей FB-DIMM, а NEC Electronics — свой вариант микросхемы AMB (к их массовому производству в NEC рассчитывают приступить в начале 2005 года, их стоимость при поставках партиями в 10 тыс. штук, по словам представителей компании, будет составлять 25 долл.). В лабораториях Intel тоже ведется разработка AMB. В компании Samsung Electronics, по словам ее представителей, готовы будут приступить к поставкам опытных образцов модулей FB-DIMM емкостью от 512 Мбайт до 4 Гбайт в конце четвертого квартала.

Прогнозы относительно перспектив новой технологии выглядят оптимистично. К примеру, по оценкам специалистов Infineon, уже в 2007 году доля рынка памяти FB-DIMM будет значительно больше, чем у регистровых DIMM (в два с лишним раза). «Если говорить о массовых поставках, то разница в цене между FB-DIMM и регистровыми DIMM очень быстро станет сравнимой с той прибавкой к стоимости устройств памяти, которую несет в себе технология ECC», — заявил менеджер по продуктам подразделения Infineon Memory Products Group Хайнрих Кирхауэр.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями