Специалисты Toshiba и SanDisk совместно разработали микросхему флэш-памяти, имеющую вдвое большую емкость, чем самые вместительные из ныне существующих — 4 Гбит (512 Кбайт). В компаниях также ведется разработка сдвоенной микросхемы, содержащей два 4-гигабитных модуля. Серийный выпуск 4- и 8-гигабитных микросхем планируется начать с третьего квартала нынешнего года. Производство будет осуществлять по технологии 90 нм фирма Flash Vision Japan, являющаяся совместным предприятием Toshiba и SanDisk.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями