По словам исполнительного вице-президента корпорации Шона Мэлоуни, компоненты флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory, изготовленные с использованием технологического процесса с проектной нормой 90 нм, имеют примерно на 50% меньший размер кристалла, чем компоненты предыдущего поколения. Это позволяет снизить себестоимость и увеличить объемы выпуска микросхем. Поставки опытных образцов 64-мегабитных чипов Intel Wireless Flash Memory, изготовленных по технологии 90 нм, должны начаться в апреле.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями