Архитектура QRSL обеспечивает обмен данными со скоростью 2 Гбит/с на канал

Samsung собирается поддерживать и конкурирующую с Rambus технологию высокопроизводительной памяти DDR SDRAM

Технология, позволяющая увеличить пропускную способность памяти, была продемонстрирована на конференции International Solid-State Circuits Conference, проходившей в Сан-Франциско.

Компания, специализирующаяся на разработке высокопроизводительных интерфейсов памяти, представила архитектуру QRSL (quad Rambus signaling level), обеспечивающую обмен данными со скоростью 2 Гбит/с на канал.

«Микросхемы памяти RDRAM, обладающие таким уровнем быстродействия, появятся на рынке к концу 2001 года», — сообщила представитель Rambus Кристина Вайзман.

Архитектура QRSL сочетает в себе достоинства технологии DDR (double-data rate) и многоуровневой сигнальной системы, позволяющей пересылать четыре бита за один такт. При этом данные, поступающие одновременно сразу из четырех источников, обрабатываются контроллером системной памяти, и суммарная пропускная способность выводится на рубеж 2 Гбит/с.

Аналитики считают, что, продемонстрировав новую технологию, компания Rambus заметно укрепила свои позиции.

«Очередная инициатива Rambus обусловлена, вероятнее всего, жестким давлением со стороны производителей, предлагающих в качестве высокопроизводительного интерфейса архитектуру DDR», — отметила старший аналитик компании MicroDesign Resources Кэри Снайдер.

«Память RDRAM должна найти применение в телевизорах высокой четкости, игровых консолях и различных электронных приставках, — сообщила Вайзман. — В общем случае это будут продукты для конечного потребителя, отличающиеся повышенной производительностью и минимальным числом составляющих компонентов. Речь идет о бытовой технике, в которой нет разъемов и модулей памяти. Эти приставки впоследствии нельзя будет модернизировать. Задача заключается в том, чтобы добиться максимального быстродействия при минимальном количестве комплектующих».

Пропускная способность новой архитектуры более чем вдвое превышает соответствующие показатели технологии RSL (Rambus signaling level), которая применяется в большинстве современных модулей памяти RDRAM, устанавливаемых сегодня в ПК, рабочие станции и электронные приставки. На конференции представители компании продемонстрировали также усовершенствованную технологию RSL, позволяющую довести скорость канала Rambus до 1,1 Гбит/с.

Несмотря на столь высокое быстродействие, микросхемам памяти RDRAM не удалось взять рынок персональных компьютеров штурмом. До тех пор пока в конце прошлого года Intel не выпустила свой новый процессор Pentium 4, работающий только в системах с памятью RDRAM, производители микросхем памяти переживали серьезный кризис сбыта этой высокоскоростной, но слишком дорогостоящей памяти.

«Теперь, после того как Intel вновь выступила в поддержку архитектуры Rambus, мы намерены увеличить выпуск микросхем RDRAM и довести в 2001 году их долю в общем объеме производства продукции DRAM до 30%, — сообщил старший вице-президент Samsung Джон Канг. — Поскольку Rambus является единственным реальным решением для Pentium 4, ожидается, что в нынешнем году ее популярность будет расти очень быстрыми темпами».

Вместе с тем, как отметил Канг, в Samsung собираются поддерживать и конкурирующую с Rambus технологию высокопроизводительной памяти DDR SDRAM, доля которой в общем объеме производства в 2001 году достигнет 10%, а в 2002-м вырастет еще больше.

Канг и ряд других руководителей крупнейших в мире компаний, производящих модули памяти (в том числе компаний Elpida Memory, Infineon Technologies, Hyundai Electronics и Micron Technology), собрались на конференции, которую организовала в Тайбэе компания Via Technologies.

Большинство из присутствовавших на этом мероприятии согласились с тем, что DDR SDRAM станет основной технологией памяти для самого широкого спектра компьютеров, начиная от настольных ПК и ноутбуков и заканчивая серверами, профессиональными рабочими станциями и другими цифровыми устройствами.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями